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美光第四代3D NAND芯片出样 有望2020年商用

发布时间:19-10-05 阅读:746

【TechWeb】日前,美光发布第一批第四代3D NAND存储芯片流片已经出样,全新的第四代3D NAND基于美光的RG架构,估计2020年美光第四代3D NAND闪存将开始商用。

同时,美光警告称,应用新架构的存储芯片将仅用于特定利用,是以明年其3D NAND资源减少将微乎其微。

美光第四代3D NAND应用多达128个有源层,并在阵列设计措施上继承应用CMOS。新型3D NAND存储器改变了用于栅调换的浮栅技巧,以试图低落尺寸和资源,同时前进机能,并简化向下一代节点的过渡。该技巧完全由美光公司开拓,没有英特尔任何投入,是以它很可能是针对美光公司最盼望针对的利用量身定制。

美光表示,在其后续RG工艺节点广泛支配之后,到2021财年将真正开始低落资源。



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